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Disque SSD interne Samsung 970 250GB

‎Disque SSD – chiffré – 250 Go – interne – M.2 2280 – PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – tampon : 512 Mo – AES 256 bits – TCG Opal Encryption‎

132,00  HT

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Description

Disque SSD interne 250GB Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW

  • ‎SSD en constante évolution‎
  • ‎Améliorez les performances‎
  • ‎Flexibilité de conception‎
  • ‎Endurance exceptionnelle‎
  • ‎Fiabilité inégalée‎
  • ‎Magicien Samsung‎

‎Le summum des performances, mis à niveau. Plus rapide que le 970 EVO, le 970 EVO Plus est alimenté par la dernière technologie V-NAND et l’optimisation du firmware. Il maximise le potentiel de la bande passante NVMe pour un calcul imbattable. ‎
‎Le 970 EVO Plus atteint des vitesses de lecture/écriture séquentielles allant jusqu’à 3 500/3 300 Mo/s, jusqu’à 57 % plus rapides que le 970 ‎
‎ ‎
‎EVO. La dernière technologie V-NAND – qui apporte de meilleures performances NAND et une plus grande efficacité énergétique – ainsi qu’un micrologiciel optimisé, un contrôleur Phoenix et une vitesse d’amplification Intelligent TurboWrite.‎

‎Étiquette‎ SAMSUNG 970 EVO PLUS 250GB NVMe M.2
‎Logiciels groupés‎ ‎Logiciel Magician pour la gestion SSD‎
‎Composant pour‎ PC
‎Description du produit‎ ‎Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW – disque SSD – 250 Go – PCI Express 3.0 x4 (NVMe)‎
Type ‎Disque SSD – interne‎
‎Type de contrôleur‎ Samsung Phoenix
‎Capacité‎ ‎250 GO‎
‎Profondeur‎ ‎2,38 mm‎
‎Chiffrement matériel‎ ‎Oui‎
‎Prise en charge de DevSlp (veille de l’appareil)‎ ‎Oui‎
‎Chiffrement matériel‎ ‎Oui‎
‎Algorithme de chiffrement‎ ‎AES 256 bits‎
‎Type de mémoire flash NAND‎ ‎Cellule à trois niveaux (TLC)‎
‎Hauteur‎ ‎22,1 mm‎
‎Facteur de forme‎ M.2 2280
Interface PCI Express 3.0
‎Date de lancement‎ 1/22/2019
Interface PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
‎Taille de la mémoire tampon‎ ‎512 MO‎
‎Temps moyen entre les pannes (MTBF)‎ 1500000 h
‎Type de mémoire‎ V-NAND MLC
‎Fonctionnalités‎ ‎Prise en charge TRIM, algorithme de ramassage automatique des ordures, protection thermique dynamique, technologie TurboWrite, technologie V-NAND, NVM Express (NVMe) 1.3, contrôleur Samsung Phoenix, S.M.A.R.T.‎
‎Dimensions (LxPxH)‎ ‎22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm‎
‎NVMe (en anglais)‎ ‎Oui‎
‎Version NVMe‎ 1.3
‎Poids‎ 8 g
‎Garantie du fabricant‎ ‎garantie de 5 ans‎
‎Température de fonctionnement (T-T)‎ 0 – 70 °C
‎Tension de fonctionnement‎ ‎3,3 V‎
‎Type de colis‎ ‎Boîte‎
‎Voies de données de l’interface PCI Express‎ x4
‎Consommation électrique (moyenne)‎ ‎5 WATTS‎
‎Consommation électrique (inactif)‎ ‎0,003 WATTS‎
‎Consommation électrique (max)‎ ‎8 WATTS‎
‎Lecture aléatoire (4 Ko)‎ 250000 IOPS
‎Écriture aléatoire (4 Ko)‎ 550000 IOPS
‎Vitesse de lecture‎ ‎3500 Mo/s‎
‎Prise en charge de S.M.A.R.T.‎ ‎Oui‎
‎Algorithmes de sécurité‎ ‎AES 256 bits‎
‎Capacité SSD‎ ‎250 GO‎
‎Facteur de forme SSD‎ M.2
‎Prise en charge de TRIM‎ ‎Oui‎
‎Poids‎ 8 g
‎Largeur‎ ‎80,2 mm‎
‎Vitesse d’écriture‎ ‎2300 Mo/s‎

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